特許

J-GLOBAL ID：200903001234566697

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 竹内 健 ,  田中 智晴
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-109165
公開番号（公開出願番号）：特開2003-331588
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】半導体記憶装置の書き込み、読み出し、及び消去を同時に行うページサイズ、ブロックサイズを、用途に応じて容易に最適化可能とする。【解決手段】複数の標準的なサブセルアレイを有する素子を用いて、ユーザが外部からコマンドを入力することにより、又は出荷の段階で僅かな工程を加えることにより、書き込み、読み出しのページサイズを自由に選択することができるようにし、システム設計において、書き込み、読み出し、消去の単位を用途に応じて最適化することにより、最高のシステム性能を達成することができる。このようにすれば、世代間の素子の互換性の点でも有利な結果が得られる。

請求項（抜粋）：

対応するビット線に各々が接続された電気的書き替え可能なメモリセルを所定個含む複数のページと、各々が複数の前記ページを含む複数のサブアレイと、各々の前記ビット線に接続され、各々の前記メモリセルへの書き込みデータを記憶する複数のデータ回路とを具備し、書き込み時に際して、任意の数の複数の前記サブアレイにおける任意の前記ページが外部から同時に選択され、且つ複数の前記データ回路に記憶された前記書き込みデータが、選択された前記サブアレイにおいてそれぞれ選択された前記ページに対して一括して書き込まれることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

G11C 17/00 611 G ,  G11C 17/00 634 G ,  G11C 17/00 613 ,  G11C 17/00 612 F ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Fターム (14件)：

5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AE05 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP76 ,  5F083ER23 ,  5F101BA01 ,  5F101BB02 ,  5F101BD34 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-282995