半導体レーザ素子および光結合装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-098231
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289354
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】基板対して水平方向にスポット径が大きくかつ低閾値電流、高出力を発生可能な半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 n型InP基板101上にn型InGaAsP閉じ込め層102、多重量子井戸活性層103、p型InGaAsP閉じ込め層104、p型InPクラッド層105がメサ状に形成されており、共振器方向に対してストライプ状である。これらの両側は電流ブロック層106、107で埋め込まれている。このレーザの活性層103を含むストライプ114の幅は、共振器方向に対して変化している。前端面付近の領域Aにおけるストライプ幅W1は、光導波路を伝搬する光のスポット径と同程度に設定されている。後端面から距離Lまでの領域Cにおけるストライプ幅W2は、横モード単一発振するように設定されている。また、領域Bではストライプ幅はテーパ状に連続的に変化している。これにより基板に対して水平方向にスポット径が大きく、低閾値電流、高出力の半導体レーザ素子が実現できる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板と該基板上に形成された多層構造を備え、レーザ光を放射する半導体レーザであって、該多層構造は少なくとも活性層を含んでおり、該活性層は共振器方向に対してストライプ状に形成されており、該活性層のストライプ幅が前端面における幅W1と後端面における幅W2の間にW1>W2の関係にあり、共振器方向に対して該ストライプ幅がW2からW1へ連続的に増加しており、基板に対して水平方向にスポット径の大きなレーザ光を発生することを可能とすることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , G02B 6/42

FI (2件)：

H01S 3/18 , G02B 6/42

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平2-264488
特開昭59-080984
特開昭59-197182

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