特許
J-GLOBAL ID：200903001245478773
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-302465
公開番号（公開出願番号）：特開2009-130069
出願日： 2007年11月22日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：
【課題】基底面転位の少ない面に熱酸化し、均一な膜厚の酸化膜を形成することにより、ゲート絶縁膜の信頼性を向上させるとともに、チャネル移動度を向上させた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、炭化珪素基板1の主面上に形成され、n導電型を有し、炭化珪素からなるドリフト層2と、ドリフト層2表面内に形成され、p導電型を有するベース領域3と、ベース領域3表面内に形成され、n導電型を有するソース領域4とを備える。そして、ソース領域4の表面からベース領域3を貫通してドリフト層2にまで達するトレンチ10と、トレンチ10の内壁面上に設けられたゲート絶縁膜5とを備える。トレンチ10の内壁の面方位は、基底面転位に対し適合化されており、ゲート絶縁膜5は、トレンチ10の内壁面を酸化して形成された熱酸化膜5aと、熱酸化膜5a上に堆積された堆積酸化膜5bとを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素基板の主面上に形成され、第1の導電型を有し、炭化珪素からなるドリフト層と、
前記ドリフト層表面内に形成され、第2の導電型を有するベース領域と、
前記ベース領域表面内に形成され、第1の導電型を有するソース領域と、
前記ソース領域の表面から前記ベース領域を貫通して前記ドリフト層にまで達するトレンチと、
前記トレンチの内壁面上に設けられたゲート絶縁膜とを備え、
前記ゲート絶縁膜は、前記トレンチの前記内壁面を酸化して形成された酸化膜と、前記酸化膜上に堆積された絶縁膜とを含み、
前記トレンチの内壁の面方位は、基底面転位に対し適合化されている、
半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 21/336
H01L29/78 652K
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 658F
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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