半導体素子およびその製造方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-404035
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267691
出願日： 2000年12月08日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】サファイア基板に形成された窒化物系III-V族化合物半導体の結晶性を向上させることができる半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板11の上に、窒化物系III-V族化合物半導体の結晶よりなる結晶部12Aと開口部12Bとを有する種結晶層12を形成したのち、サファイア基板11に開口部12Bと連通する凹部11Bを設ける。そののち、結晶部12Aからn側コンタクト層15を成長させる。結晶部12Aから横方向に成長した結晶とサファイア基板11とが接触することがなく、n側コンタクト層15およびその上に成長した窒化物系III-V族化合物半導体の結晶においては、貫通転位の密度が低く、また結晶方位の揺らぎが少なくなっている。

請求項（抜粋）：

サファイア(Al2O3)よりなる基板の一面側に、III族元素のうちの少なくとも1種とV族元素のうちの少なくとも窒素(N)とを含む窒化物系III-V族化合物半導体よりなる半導体層を備えた半導体素子であって、前記半導体層は、窒化物系III-V族化合物半導体の結晶よりなる結晶部および開口部を含む第1の結晶層と、窒化物系III-V族化合物半導体の結晶よりなり、前記第1の結晶層の結晶部を覆うように設けられた第2の結晶層とを有すると共に、前記基板は前記第1の結晶層の開口部に対応する領域に凹部を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01S 5/323 , C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 5/323 , C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (41件)：

4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BA40 , 4K030CA01 , 4K030DA03 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030LA11 , 5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA75 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AE30 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045EB15 , 5F045HA13 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05

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