特許

J-GLOBAL ID：200903001246521575

整流用半導体装置

発明者： 若田部 勝 ,  石田 純一
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-295148
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110061
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 順方向電圧降下特性を低下させることなく、高い逆方向電圧領域まで逆漏れ電流を小さな値に抑制した整流用半導体装置の提供を目的とする。【構成】 一導電型半導体N、金属層M及びそれらの間に介在せしめた第2の一導電型半導体層PEIから成り、第2の一導電型半導体PEI層は前記の一導電型半導体Nと金属層Mによるショットキバリアハイトと同等程度の電子ポテンシアルを保持するPotential Equalized Layer(PEL)としたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体、金属層及びそれらの間に介在せしめた第2の一導電型半導体層から成り、第2の一導電型半導体層は、前記一導電型半導体と前記金属層によるショットキバリアハイトと同等程度の電子ポテンシアルを保持するようにしたことを特徴とする整流用半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/48 ,  H01L 29/91

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-175472
  
• 特開昭59-005676