特許
J-GLOBAL ID：200903001247052986
炭素材料に水素を吸蔵する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 馨 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-530461
公開番号（公開出願番号）：特表2002-502793
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2002年01月29日
要約：
【要約】60°の倍数であるテーパ角を備えるコーン形状の微細構造からなる炭素材料中に水素を吸蔵するための方法において、この炭素材料は真空排気された反応容器に導入されて、炭素材料は295〜800Kの温度に保持され、その後純水素ガスが反応容器に導入され、炭素材料は300から7600 torrの範囲の圧力の水素ガスに曝され、それによって水素ガスが炭素材料に吸収される。さらにその後反応容器は、水素ガスの圧力を保ったまま、炭素材料とともに周囲温度に保持される。使用に際して、水素は、反応容器内において周囲温度でもしくは加熱することによって、炭素材料から気体の状態で放出される。水素吸蔵用のこの種の炭素材料を精製する方法において、炭素材料は、反応容器内で触媒を使用して微細構造のテーパ角分布を調整するように、製造される。自動車を含む移動手段を駆動するための燃料として水素の吸蔵は利用される。
請求項（抜粋）：
結晶性の乱れた微細構造を備える単体炭素からなる炭素材料に水素を吸蔵する方法であって、この微細構造がコーンを含み、このコーンのテーパ角が60°の倍数であり、 a)反応容器に前記炭素材料を導入するステップ、 b)前記反応容器を10-6 Torrより低い圧力に真空排気して、前記炭素材料を295K〜800Kの範囲の温度に保持するステップ、 c)前記真空排気された反応容器に純水素ガスを導入して、300 Torr〜7600 Torrの範囲の圧力で前記炭素材料をこの純水素ガスに曝すステップ、 d)前記炭素材料の微細構造に前記純水素ガスが吸収されるステップ、 e)典型的には295K又はそれよりわずか低い温度の周囲温度に、前記反応容器を維持し、前記反応容器内に含まれる前記炭素材料が前記圧力範囲内の固定された水素ガス圧力下に存在し、必要とされる際に、水素が、前記周囲温度で又は前記反応容器内で前記炭素材料を加熱することによって、前記炭素材料からガスとして取り出されるステップ、とからなることを特徴とする方法。
IPC (4件)：
C01B 3/00
, C01B 31/02 101
, C01B 31/02
, B01J 20/20
C01B 3/00 B
, C01B 31/02 101 F
, C01B 31/02 101 Z
, B01J 20/20 B
4G040AA22
, 4G040AA32
, 4G040AA42
, 4G046CB02
, 4G046CB06
, 4G046CB08
, 4G066AA04B
, 4G066BA26
, 4G066BA32
, 4G066BA38
, 4G066CA38
, 4G066DA04
, 4G066GA01
