特許

J-GLOBAL ID：200903001248728991

化合物半導体の表面清浄化方法および化合物半導体用熱処理装置。

発明者： 廣井 久美
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-357610
公開番号（公開出願番号）：特開2003-160400
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年06月03日
要約：

【要約】【課題】 熱処理による酸化膜除去工程において,構成原子の基板解離がなく酸化膜除去ができる最適温度での熱処理が実現できる化合物半導体の表面清浄化方法を得る。【解決手段】 本発明の化合物半導体の表面清浄化方法は、表面あるいは端面に酸化膜が形成された化合物半導体11を加熱して昇温中に化合物半導体11から放出された解離ガスを質量分析計15あるいは真空計20によって測定する工程と、上記測定から得られたガス放出特性1,2に基づき基板加熱温度8を決定し前記基板加熱温度8で所定時間加熱を行う工程と、を含んでなる。

請求項（抜粋）：

表面あるいは端面に酸化膜が形成された化合物半導体を加熱して昇温中に前記化合物半導体から放出された解離ガス量を測定する工程と、前記測定から得られたガス放出特性に基づき基板加熱温度を決定し前記基板加熱温度で所定時間加熱を行う工程と、を含んでなる化合物半導体の表面清浄化方法。

IPC (5件)：

C30B 33/02 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/304 645 ,  H01S 5/028

FI (5件)：

C30B 33/02 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/304 645 Z ,  H01S 5/028

Fターム (8件)：

4G077AA03 ,  4G077BE46 ,  4G077DB01 ,  4G077EE02 ,  4G077TK10 ,  5F073DA16 ,  5F073DA33 ,  5F073DA35