特許
J-GLOBAL ID：200903001250857995
化合物半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-260302
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144378
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系発光素子における、クラッド層とガイド層及び発光層との格子歪みを抑えて高い結晶性の発光素子を得ることによって、高性能の発光素子を得ることを目的とする。【解決手段】 上記目的を達成するために、AlGaNからなる第1のクラッド層と、AlGaNからなる第2のクラッド層と、前記第1および第2のクラッド層に挟まれた活性層を有するGaN系化合物半導体発光素子において、前記第1のクラッド層は、Al<SB>y1</SB>Ga<SB>1-y1</SB>N(y1≦1)薄膜と、Al<SB>z1</SB>Ga<SB>1-z1</SB>N(0.005≦z1<y1)薄膜とが交互に積層されてなるGaN系化合物半導体発光素子の構造を提案する。
請求項（抜粋）：
AlGaNからなる第1のクラッド層と、AlGaNからなる第2のクラッド層と、前記第1および第2のクラッド層に挟まれた活性層を有するGaN系化合物半導体発光素子において、前記第1のクラッド層は、Al<SB>y1</SB>Ga<SB>1-y1</SB>N(y1≦1)薄膜と、Al<SB>z1</SB>Ga<SB>1-z1</SB>N(0.005≦z1<y1)薄膜とが交互に積層されてなることを特徴とするGaN系化合物半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01S 5/323
, C30B 29/38
, H01L 21/205
, H01L 33/00
H01S 5/323
, C30B 29/38 D
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
