特許

J-GLOBAL ID：200903001251446964

電磁制御弁

発明者： 坂井 光雄 ,  原田 和幸
出願人/特許権者： 豊興工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-095348
公開番号（公開出願番号）：特開平6-281042
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 記憶装置に記憶したデータに基づきソレノイド駆動電流を制御する電磁制御弁で、記憶データを変更する場合の変更操作を容易にできるようにする。【構成】 制御流体の流量や圧力のデータを書き換え可能に記憶する記憶装置10と、前記データを書き換え操作する一方で前記データに基づいてソレノイド駆動電流を演算制御する制御装置11とを有する設定部9と、設定部9からのデータをアナログ信号で入力しソレノイド駆動電流を制御する増幅部8とを有するアンプユニット5を弁本体又はソレノイド2、3に搭載し、アンプユニット5の設定部9には、開閉接点19A乃至19Dによって制御流体の流量や圧力のデータをデジタル信号で与えるデジタル信号発生器16A乃至16Jを接続し、デジタル信号発生器16A乃至16Jのデータを記憶装置10に記憶可能としている。

請求項（抜粋）：

記憶内容を書き換え可能に制御流体の流量や圧力のデータを記憶する記憶装置と、記憶装置に記憶される前記データを書き換え操作する一方で、記憶装置に記憶された前記データに基づいて制御流体の流量や圧力に相当するソレノイド駆動電流を演算制御する制御装置とを有する設定部と、設定部に有する制御装置の演算出力をDA変換器を介してアナログ信号で入力し、このアナログ信号に応じてソレノイド駆動電流を制御する増幅部とを備えたアンプユニットを弁本体又はソレノイドに搭載し、アンプユニットの設定部には、複数の開閉接点の選択的な開閉設定に応じ制御流体の流量や圧力のデータを並列なデジタル信号で与えるデジタル信号発生器を接続し、このデジタル信号発生器の前記データを設定部に有する記憶装置に記憶可能と成した電磁制御弁。