特許
J-GLOBAL ID：200903001252021266
半導体ウェハの加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-353823
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123263
出願日： 2003年10月14日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 半導体ウェハの背面を研削して薄型化(例えば100μm以下)する際に、ウェハ端部にマイクロクラックなどが発生しても、歩留りの低下が防止される半導体ウェハの加工方法を提供する。【解決手段】 表面の中央主要部にチップ領域Cを備えた半導体ウェハ10を用意し、チップ領域Cの外側で、かつ半導体ウェハ10の外周に沿った周縁部Eの部分に、半導体ウェハ10を貫通するリング状の切り込み部11を形成し、その後に、半導体ウェハ10の背面Bを研削することにより、半導体ウェハ10の厚みを薄くする。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
表面の中央主要部にチップ領域を備えた半導体ウェハを用意する工程と、
前記チップ領域の外側で、かつ前記半導体ウェハの外周に沿った周縁部の部分に、前記半導体ウェハを貫通するリング状の切り込み部を形成する工程と、
前記半導体ウェハの背面を研削することにより、前記半導体ウェハの厚みを薄くする工程とを有することを特徴とする半導体ウェハの加工方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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