特許
J-GLOBAL ID:200903001261534403

DIP型半導体レーザモジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡辺 喜平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-032682
公開番号(公開出願番号):特開平5-198892
出願日: 1992年01月23日
公開日(公表日): 1993年08月06日
要約:
【要約】【構成】 複数のリード端子3a〜3nを設けた成形樹脂基板3と、光ファイバ引き出し用孔4aを設けるとともに、前記成形樹脂基板3と係合する開口部を有する成形樹脂カバー4と、光学系ユニット1を組み付け、かつ、前記成形樹脂基板3のリード端子3a,3cが嵌合する位置決め孔2a,2aを設けた金属ベース2とで構成する。【効果】 広い空間内において光学系ユニットの実装を行なえる。
請求項(抜粋):
光学系ユニットをDIP型パッケージに収容した半導体レーザモジュールにおいて、両側縁部近傍に複数のリード端子を設けた基板と、一側壁部に光ファイバ引き出し用孔を設けるとともに、前記基板と係合する開口部を有する箱状カバーと、光学系ユニットを組み付けかつ、前記基板のリード端子が嵌合する位置決め孔を設けた金属ベースと、を備えたことを特徴とするDIP型半導体レーザモジュール。

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