特許
J-GLOBAL ID:200903001262447709
半導体および太陽電池
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
増田 達哉 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-373591
公開番号(公開出願番号):特開2002-176187
出願日: 2000年12月07日
公開日(公表日): 2002年06月21日
要約:
【要約】【課題】光電変換効率に優れる半導体および太陽電池を提供すること。【解決手段】図1に示す太陽電池1は、いわゆる乾式太陽電池と呼ばれるものであり、基板2と、基板2の上面に設置された第1の電極3と、第1の電極3の上面に設置された膜状の半導体4と、半導体4の上面に設置された第2の電極5と、第2の電極5の上面に設置された第3の電極6とを有し、半導体4が第1の電極3と第2の電極5とで挟持されている。太陽電池1では、第1の電極3または第2の電極5の少なくとも一方と半導体4との界面に、ダイオード特性を有する整流障壁が形成されているのが好ましい。本発明の半導体4は、主として酸化チタンで構成され、可視光領域の波長の光の吸収を可能とする可視化処理が施されている。
請求項(抜粋):
主として酸化チタンで構成される半導体であって、可視光領域の波長の光の吸収を可能とする可視化処理が施されていることを特徴とする半導体。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 E
Fターム (15件):
5F051AA07
, 5F051AA14
, 5F051AA20
, 5F051DA20
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032CC14
, 5H032CC17
, 5H032EE02
, 5H032EE03
, 5H032EE07
, 5H032EE08
, 5H032EE16
, 5H032HH00
, 5H032HH04
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