感放射線性ポジ型レジスト組成物

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小栗昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-010297
公開番号（公開出願番号）：特開2002-214769
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：

【要約】【課題】疎密パターン依存性が改善され、超LSIや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケ-ションプロセスに使用することができる化学増幅型の感放射線性レジスト組成物を提供すること。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、電離放射線の照射により酸を発生する化合物、溶剤ならびに酸及び/又は電離放射線の照射により、レジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解速度を減少させる化合物を含有する感放射線性ポジ型レジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(A1)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)電離放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)溶剤、ならびに(D)酸及び/又は電離放射線の照射により、レジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解速度を減少させる化合物、を含有することを特徴とする感放射線性ポジ型レジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/004 501 , C08K 5/00 , C08L101/00 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/004 501 , C08K 5/00 , C08L101/00 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (21件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB41 , 2H025CC03 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J002AA001 , 4J002FD200 , 4J002FD206 , 4J002FD207 , 4J002FD208 , 4J002FD209 , 4J002FD310 , 4J002GP03

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