特許

J-GLOBAL ID：200903001264011851

単結晶ウェーハの製造方法

発明者： 岡戸 茂男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-147385
公開番号（公開出願番号）：特開平7-006984
出願日： 1993年06月18日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 デバイス化工程等による割れ率の低減を図ることを可能にした単結晶ウェーハの製造方法を提供する。【構成】 単結晶ボールをスライス加工する工程(101) と、スライス加工により作製されたウェーハの両面をラップ加工する工程(102) と、ラップ加工されたウェーハの裏面を粗し加工する工程(103) と、ウェーハの他方の表面を鏡面研磨加工する工程(105) とを有する単結晶ウェーハの製造方法において、裏面粗し加工工程後に、ウェーハの外周面取り加工(104) を行う。

請求項（抜粋）：

単結晶ボールをスライス加工する工程と、前記スライス加工により作製されたウェーハの両面をラップ加工する工程と、前記ラップ加工されたウェーハの裏面を粗し加工する工程と、前記ウェーハの表面を鏡面研磨加工する工程とを有する単結晶ウェーハの製造方法において、前記裏面粗し加工工程後に、前記ウェーハの外周面取り加工を行うことを特徴とする単結晶ウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 301 ,  B24B 9/00 ,  C30B 33/00 ,  H03H 3/08

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平4-330726
  
• 半導体ウェハの表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-005330   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 張合せウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-057567   出願人：株式会社日立製作所