特許

J-GLOBAL ID：200903001264600504

エッチング終点検出方法

発明者： 輿水 地塩 ,  樋口 公博
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-052991
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240405
出願日： 1994年02月25日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】 シリコン酸化膜を比較的低圧エッチングした場合にもエッチング終点を確実に検出できる方法を提供すること。【構成】 エッチングとしてCF系ガスを導入した場合に、プラズマ中で解離されることで生成される中間生成物であるC2 は、半導体ウエハ上にシリコン酸化膜が存在する限り該酸化膜に付着する傾向を示し、エッチング進行中はこのC2の発光強度は比較的低い。エッチング終点に近づくにつれ、半導体基板上の酸化膜に付着するC2 の付着量が少なくなり、C2 の発光強度は増大する。一方、シリコン酸化膜との反応生成物であるSiまたはSiFx (X=1〜3)は、エッチング進行中は比較的高い発光強度として検出され、エッチング終点に近づくにつれ酸化膜が減少するため、低い発光強度となる。したがって、C2 の発光強度と、SiまたはSiFX の発光強度との比または差を検出すれば、プラズマ終点を精度よく検出することが可能となる。

請求項（抜粋）：

炭素Cを含むエッチングガスを用いてプラズマを生成し、シリコン酸化膜をエッチングする際のエッチング終点検出方法において、C2 のプラズマ発光強度を検出し、この発光強度に基づいてエッチング終点を検出することを特徴とするエッチング終点検出方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  G01N 21/31

FI (2件)：

H01L 21/302 E ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-290428
  
• スルーホールの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-211613   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭63-081929