特許
J-GLOBAL ID：200903001279435720
ガーネット単結晶膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-109045
公開番号（公開出願番号）：特開平6-321680
出願日： 1993年05月11日
公開日（公表日）： 1994年11月22日
要約：
【要約】【目的】 酸化物単結晶基板上へガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル成長法によって育成する方法において、下地の酸化物単結晶基板を研磨しない方法を提供する。【構成】 スライスした下地用の酸化物単結晶基板を酸によりエッチングしたのち、該酸化物単結晶基板表面にガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル成長法により育成する。
請求項（抜粋）：
酸化物単結晶基板上へガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル成長法により製造する方法において、酸化物単結晶基板を酸によりエッチングしたのち、該酸化物単結晶基板表面にガーネット単結晶膜を育成することを特徴とするガーネット単結晶膜の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 19/04
, C30B 29/28
, H01F 10/24
, H01F 41/28
