特許

J-GLOBAL ID：200903001279769742

気相成長装置

発明者： 伊藤 武志 ,  石原 昭
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-074835
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283339
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】被成膜基板の直径もしくは幅よりも幅の広い水平2面を、その形成する水平流路の上面および下面として有する内管の前記下面の開口部に位置する, 加熱されたサセプタ上の基板を反応ガスが層流状態で通過可能な装置構成を提供する。【構成】サセプタ2の上流側にサセプタに近接して反応ガスを予備加熱するための予備加熱手段12を設置し、加熱時の上昇流により乱流化した反応ガスに層流復帰のための助走区間を与える。基板区間の層流化をより確実にするためにサセプタ2の下流側にもサセプタに近接して加熱手段13を設置して再乱流化位置をより下流側へ移す。

請求項（抜粋）：

上下方向に対向する,被成膜基板の直径もしくは幅よりも幅の広い平行2面をそれぞれ、その形成する水平流路の上面および下面として有する内管を反応炉容器の内部に設置して反応ガスを水平方向に流し、前記内管の下面に形成した開口部に配され上面に組み付けられた被成膜基板の垂直軸まわりに回転駆動されるサセプタを、サセプタの下方に位置する加熱手段により加熱することにより被成膜基板に成膜を行う気相成長装置において、前記サセプタの上流側にサセプタに近接して反応ガスを予備的に加熱するための第2の加熱手段を設置したことを特徴とする気相成長装置。