特許
J-GLOBAL ID：200903001283701885
半導体デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-015625
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226405
出願日： 1994年02月10日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 縦型バイポーラ半導体デバイスのライフタイム制御技術を提供する。【構成】 バイポーラ半導体デバイスの製造工程において、拡散法やイオン打ち込みによって不純物を導入したウェハーに電子線照射を行い、ウェハーの縦方向全体にほぼ均一に欠陥を生じさせ、その後にランプアニールあるいはレーザーアニールすることによって、過剰少数キャリヤーのライフタイムをウェハーの厚み方向で任意に制御する。その際に、電子線照射処理後のウェハーの片側を冷却しながらランプアニールあるいはレーザーアニールする。また、ランプやレーザービームをパルス照射するパルスアニール法や、ビームを走査する走査アニール法により、任意のパターンで、過剰少数キャリヤーのライフタイムを制御する。
請求項（抜粋）：
不純物を含有する半導体ウェハに電子線照射を行って格子欠陥を生じさせ、その後にアニール処理を行う半導体デバイスの製造方法において、前記アニール処理時に、前記半導体ウェハのアニール処理面に対向する面を冷却することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/322
, H01L 21/263
, H01L 21/331
, H01L 29/73
