特許

J-GLOBAL ID：200903001284681160

DRAMセルのキャパシタおよびその製造方法

発明者： サ キュン ラ- ,  ドン ウォン キム
出願人/特許権者： ゴールド スター エレクトロン カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-240406
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188381
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【構成】多数個の孔(31)と多数の凹凸を有する下部電極(32)と、下部電極(32)の表面に形成した誘電体層(33)と、誘電体層(33)の表面に形成した上部電極(34)とからなるDRAMセルのキャパシタ。【効果】下部電極に多数の孔および凹凸を形成したので、キャパシタの電極の面積が増大し、キャパシタの容量を大幅に増大することができ、また、段差被覆性も良好であり、高集積メモリの情報蓄積用キャパシタを提供できる。

請求項（抜粋）：

多数個の孔を有する下部電極と、上記下部電極の表面に形成した誘電体層と、上記誘電体層の表面に形成した上部電極とからなることを特徴とするDRAMセルのキャパシタ。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-207066