特許
J-GLOBAL ID：200903001287831732
半導体ウエハの面取方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-329141
公開番号（公開出願番号）：特開平5-162054
出願日： 1991年12月12日
公開日（公表日）： 1993年06月29日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハの面取加工面の面精度を向上させる。【構成】 回転する砥石22を傾斜した研削面24に沿って往復移動させながら回転する半導体ウエハの周縁を面取加工するので、砥石の作用砥粒数を増大させ、面取形状の精度及び面粗さの向上が図れる。
請求項（抜粋）：
回転する半導体ウエハの周縁に回転する砥石を当接して半導体ウエハの周縁を研磨する半導体ウエハ外周の面取方法に於いて、前記半導体ウエハの回転軸と砥石の回転軸とを平行に保った状態で、前記砥石を傾斜した砥石面に沿って往復移動させながら半導体ウエハの周縁を研磨することを特徴とする半導体ウエハの面取方法。
引用特許：
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