特許

J-GLOBAL ID：200903001289338294

半導体分布帰還型レーザ装置および半導体素子の製造方法

発明者： 羅 毅 ,  土橋 万知夫 ,  細松 春夫 ,  多田 邦雄 ,  中野 義昭
出願人/特許権者： 光計測技術開発株式会社
代理人 (1件)： 井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-328947
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343789
出願日： 1991年12月12日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 周期的な光吸収層による光分布帰還を得る構造の半導体分布帰還型レーザ装置において、平均吸収損失をできるだけ小さくしながら十分な分布帰還を得る。【構成】 周期的な光吸収層を光伝搬領域に沿ったストライプ状の領域の外側に配置する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体層により形成された光導波路構造を備え、この光導波路構造の少なくとも一つの層には電流注入により誘導放出光を発生する活性層が設けられ、この活性層に近接する層にはその活性層からの誘導放出光を周期的に吸収することによりその誘導放出光に光分布帰還を施す光吸収層が設けられた半導体分布帰還型レーザ装置において、前記光吸収層は、前記誘導放出光の伝搬方向に沿ったストライプ状の領域の外側に設けられたことを特徴とする半導体分布帰還型レーザ装置。