特許

J-GLOBAL ID：200903001292315734

半導体装置

発明者： 井上 智樹 ,  杉山 公一 ,  二宮 英彰 ,  小倉 常雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 三好 秀和 ,  三好 保男 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-351374
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186413
出願日： 2002年12月03日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】優れた逆回復特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】第1主表面と第1主表面に対向する第2主表面とを有する第1導電型の半導体からなるベース層と、第1主表面においてベース層に接続した第1主電極層と、第1主電極層を貫通し、ベース層内に達する溝の内部に配置された制御領域と、第2主表面においてベース層に接続した第1導電型の半導体からなる第2主電極層とを具備する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1主表面と該第1主表面に対向する第2主表面とを有する第1導電型の半導体からなるベース層と、 前記第1主表面において前記ベース層に接続した第1主電極層と、 前記第1主電極層を貫通し、前記ベース層内に達する溝の内部に配置された制御領域と、 前記第2主表面において前記ベース層に接続した第1導電型の半導体からなる第2主電極層 とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L29/861 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

FI (2件)：

H01L29/91 C ,  H01L29/48 F

Fターム (4件)：

4M104CC03 ,  4M104FF01 ,  4M104GG02 ,  4M104GG18