特許

J-GLOBAL ID：200903001292413930

化合物半導体基板およびこの基板を用いたトランジスタの製造方法

発明者： 藍郷 崇 ,  矢部 愛次 ,  立川 昭義
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-054859
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246531
出願日： 1996年03月12日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 トランジスタ単体として同じ特性のものを製造することができる化合物半導体基板と、この基板を用いた同一特性のトランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 n or i-AlGaAs層1とn-GaAs層2を交互に積層した基板を用いて、工程中においてソース21・ドレイン22間電流値を測定しながら、n or i-AlGaAs層1とn-GaAs層2を交互に積層した層を順次ドライエッチングする。これによりソース・ドレイン間電流の微細な調整が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、第1の化合物半導体層と、該第1の化合物半導体層と組成の異なる第2の化合物半導体層とを交互に少なくとも2周期以上繰り返し積層した層を有することを特徴とする化合物半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/201

FI (3件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/203 ,  H01L 29/80 B