特許
J-GLOBAL ID：200903001296174477
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-285368
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129831
出願日： 1995年11月01日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】プロセスバラツキによるMOSトランジスタのしきい値電圧の設定値からのずれを補正でき、歩留りを向上できる半導体装置を提供することにある。【解決手段】n型半導体基板2内にp型ウェル領域3が形成され、ウェル領域3内にnMOSトランジスタ4が形成される。検出回路6は、p型ウェル領域内に形成されかつトランジスタ4と同一サイズのn型のMOSトランジスタ9を有し、トランジスタ9のしきい値電圧V1を検出する。基準電圧発生回路7はpn接合ダイオードD1,D2を有し、該ダイオードの電圧降下に基づいてトランジスタ9のしきい値として設定された値の基準電圧VR1を出力する。基板バイアス発生回路5はウェル領域3にバイアス電圧VBnを供給する。制御回路8は基準電圧VR1としきい値電圧V1との比較結果に基づいてトランジスタ4のしきい値電圧が設定値VR1に近づくようにバイアス発生回路5を制御する。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体領域内に該半導体領域の導電型とは異なる第2の導電型のMOSトランジスタが形成された半導体装置であって、前記MOSトランジスタと同一導電型であるとともに同一サイズであり、かつ、前記半導体領域内に設けられたリファレンス用MOSトランジスタを有し、前記リファレンス用MOSトランジスタのしきい値電圧を検出するための検出回路と、pn接合ダイオードを有し、かつ、該pn接合ダイオードの電圧降下に基づいて前記リファレンス用MOSトランジスタのしきい値として設定された値の基準電圧を出力するための基準電圧発生回路と、前記半導体領域にバイアス電圧を供給するための基板バイアス発生回路と、前記基準電圧発生回路から出力される基準電圧と前記検出回路の検出結果とを比較し、その比較結果に基づいて前記MOSトランジスタのしきい値電圧が設定値に近づくように前記基板バイアス発生回路を制御するための制御回路とを備える半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 27/04 G
, H01L 27/04 B
, H01L 27/04 A
, H01L 27/04 T
