特許

J-GLOBAL ID：200903001298239827

高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法

発明者： 山越 康廣 ,  宮下 博仁
出願人/特許権者： 株式会社日鉱マテリアルズ
代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-009907
公開番号（公開出願番号）：特開2003-213405
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月30日
要約：

【要約】【課題】 300mmウエハを用いた製造プロセスにおいても、スパッタリング効率が高く、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)とプラズマのイグニッション(点弧)性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】 マグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットであって、該ターゲットの透磁率が100未満であることを特徴とするスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット。

請求項（抜粋）：

マグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットであって、該ターゲットの透磁率が100未満であることを特徴とするスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット。

IPC (13件)：

C23C 14/34 ,  C22C 19/03 ,  C22F 1/10 ,  G11B 5/851 ,  C22F 1/00 604 ,  C22F 1/00 613 ,  C22F 1/00 661 ,  C22F 1/00 683 ,  C22F 1/00 685 ,  C22F 1/00 686 ,  C22F 1/00 691 ,  C22F 1/00 ,  C22F 1/00 694

FI (14件)：

C23C 14/34 A ,  C22C 19/03 G ,  C22F 1/10 K ,  G11B 5/851 ,  C22F 1/00 604 ,  C22F 1/00 613 ,  C22F 1/00 661 Z ,  C22F 1/00 683 ,  C22F 1/00 685 Z ,  C22F 1/00 686 B ,  C22F 1/00 691 B ,  C22F 1/00 691 C ,  C22F 1/00 694 A ,  C22F 1/00 694 B

Fターム (12件)：

4K029BA12 ,  4K029BA25 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029DC07 ,  4K029DC08 ,  5D112AA05 ,  5D112BB01 ,  5D112FA04 ,  5D112FB14