特許
J-GLOBAL ID：200903001299930272
多層セラミック基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
粟野 重孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-213112
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061650
出願日： 1992年08月11日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 チップ部品などを搭載し、かつそれらを容易に相互配線できる多層セラミック基板の製造方法において、基板構成シートの最外層の配線パターンを容易に形成することを目的とする。【構成】 基板構成シートと収縮抑制シートの両方に形設した孔に導体ペーストを埋めて電極を形成し、その収縮抑制シートを最外層としてその内部に複数の基板構成シートを順次積層した多層シートを焼成した後、最外層の収縮抑制シートをそれらの柱状電極とともに除去する方法により、収縮抑制シートの組成のアルミナと内部電極のガラス成分との反応を防ぎ、基板構成シートの最外層に絶縁層の形成をも防止して、最外層の配線パターンが容易に形成できる。
請求項（抜粋）：
基板構成シートと収縮抑制シートの両方に形設した孔に導体ペーストを埋めて電極を形成し、前記収縮抑制シートを最外層として、その内部に複数の基板構成シートを順次積層した多層シートを焼成した後、最外層の収縮抑制シートを除去し、ついで、形成された柱状電極を基板構成シートの同一面に合わせて除去する多層セラミック基板の製造方法。
引用特許：
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