特許

J-GLOBAL ID：200903001300942247

薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の欠陥検出方法およびその方法を用いた薄膜太陽電池の欠陥検出除去装置

発明者： 岸本 克史 ,  野元 克彦 ,  梅本 哲正 ,  三宮 仁
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-170730
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037317
出願日： 1994年07月22日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 裏面電極側の赤外線放射性が高い薄膜太陽電池を提供する。【構成】 透明絶縁性基板1上に、透明導電性膜(透明電極)2,半導体接合層3および裏面電極4が積層されて成る薄膜太陽電池セルを用いて、SiO2ターゲットによるスパッタによって、裏面電極4側に波長1μm〜20μm(望ましくは、3μm〜5μmの波長帯及び8μm〜13μmの波長帯)の光に対してその放射率が5%以上(望ましくは、50%以上)の赤外線放射率を呈する膜を形成する。こうして、薄膜太陽電池における裏面電極4側の赤外線放射性を高めることによって、この薄膜太陽電池に電気的短絡欠陥がある場合には、順方向に電流を流した際に、裏面電極4側からの熱画像測定によって個々の欠陥位置を十分特定できる大きさの面内温度分布を得ることができ、容易に且つ精度良く欠陥検出を行うことが可能となる。

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板上に、透明導電性膜,半導体接合層および裏面電極を順次積層して成る薄膜太陽電池において、上記裏面電極上に、赤外線放射率が所定値より高い薄膜を形成したことを特徴とする薄膜太陽電池。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

H01L 31/04 K ,  H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 M