特許

J-GLOBAL ID：200903001301639203

ガラスセラミック焼結体およびその製造方法、およびそれを用いた多層配線基板

発明者： 永江 謙一 ,  中尾 吉宏 ,  鈴木 晋一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257777
公開番号（公開出願番号）：特開2003-063855
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【課題】焼結体中に内在するボイドが小さく、アルミナより高い熱膨張係数および高誘電率を有するガラスセラミック焼結体を得る。【解決手段】バリウムホウ珪酸ガラスにチタン酸塩系フィラーを添加してなる混合物を成形、焼成するにあたり、焼成をA:730〜770°Cと、B:850〜950°Cに保持して行い、そのA-B間の昇温速度を100〜200°C/hrにて焼成することによって、焼結体の断面鏡面写真において100μm×100μmのエリア内に直径20μm以上の気孔の数が5個以下である、40〜400°Cにおける熱膨張係数が8×10-6/°C以上であり、かつ1MHz〜3GHzにおける比誘電率が14以上、誘電正接が50×10-4以下、-40〜85°Cにおける比誘電率の温度変化率の絶対値が100×10-6/°C以下のガラスセラミック焼結体を得ることができる。

請求項（抜粋）：

バリウムホウ珪酸ガラス相中に、チタン酸塩系フィラーを分散含有してなるガラスセラミック焼結体であって、その焼結体の断面鏡面写真において100μm×100μmのエリア内に直径20μm以上の気孔の数が5個以下であることを特徴とするガラスセラミック焼結体。

IPC (2件)：

C04B 35/14 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

C04B 35/14 ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 T

Fターム (49件)：

4G030AA08 ,  4G030AA10 ,  4G030AA11 ,  4G030AA13 ,  4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA09 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA14 ,  4G030GA15 ,  4G030GA17 ,  4G030GA20 ,  4G030GA24 ,  4G030GA28 ,  5E346AA02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346AA22 ,  5E346AA23 ,  5E346AA32 ,  5E346AA36 ,  5E346AA51 ,  5E346BB20 ,  5E346CC02 ,  5E346CC16 ,  5E346CC18 ,  5E346CC21 ,  5E346DD02 ,  5E346DD12 ,  5E346DD13 ,  5E346DD34 ,  5E346EE21 ,  5E346EE24 ,  5E346EE27 ,  5E346EE29 ,  5E346EE30 ,  5E346FF45 ,  5E346GG04 ,  5E346GG06 ,  5E346GG08 ,  5E346GG09 ,  5E346HH01 ,  5E346HH06 ,  5E346HH21