特許
J-GLOBAL ID：200903001309066687
MOSコンデンサを有する半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276302
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132477
出願日： 1992年10月14日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】工程増加、歩留り低下といいた不具合を回避しつつ絶縁耐圧向上が可能なMOSコンデンサを有する半導体装置を提供する。【構成】第1発明では、第1半導体領域42のコンタクト電極62をコンデンサの第1電極とし、第2半導体領域41のMOS電極51をコンデンサの第2電極とし、第1半導体領域42上のMOS電極52と第2半導体領域41のコンタクト電極61とを接続導体53により接続する。このようにすれば、両MOS容量が直列接続されることとなり、耐圧を向上することができる。特に、両MOS電極直下の導電形式が同一となるので両MOS容量の容量設計も容易となる。第2発明では、MOS電極直下の半導体領域を高濃度として、各MOS容量の接続を自由とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面上に接合分離又は絶縁物分離されて形成される半導体領域と、前記半導体領域表面に絶縁膜を介してそれぞれ配設される複数のMOS電極と、前記各半導体領域表面に形成されたコンタクト電極とを備えるMOSコンデンサを有する半導体装置において、第1の前記半導体領域とは独立して形成された第2の前記半導体領域表面の第2のコンタクト電極を前記第1の半導体領域上の第1のMOS電極に接続する接続導体を備え、前記第1の半導体領域表面の第1のコンタクト電極及び前記第2電極半導体領域上の第2のMOS電極間に直列接続MOS容量を有することを特徴とするMOSコンデンサを有する半導体装置。
引用特許：
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