特許
J-GLOBAL ID：200903001310474420
選択成長用マスクの形成方法及びその除去方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-290193
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142404
出願日： 1993年11月19日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 真空一貫プロセスに利用可能で、結晶性の影響を受け難く、どの様な原料ガスに対しても必要な耐性を有する選択成長用マスクを形成する方法を提供する。【構成】 GaAs基板201の温度を630°Cとして、GaAsバッファ層202の表面をGaリッチな面とする。ジメチルヒドラジンを導入してGaAsバッファ層の表面にGaN膜203を形成する。GaAs基板を酸素雰囲気下に置き、GaN膜の表面にハロゲンランプ光を照射してGaO1-x Nx 204を形成する。GaO1-x Nx の表面に塩素ガスを照射すると共に、電子ビームを走査させる。電子ビームを走査させた領域のGaO1-x Nx 及びGaN膜は除去され、他の領域のGaO1-x Nx 及びGaN膜は選択成長用マスクとして働く。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に窒素を含有する原料ガスを照射して前記半導体基板表面に窒化膜を形成する工程と、前記半導体基板を酸素及びオゾンの一方の雰囲気下に置き、前記窒化膜の表面に光を照射して酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜の表面に塩素ガスを照射するとともに、前記酸化膜の表面の所定領域に電子ビームを照射して前記酸化膜及び前記窒化膜を選択的に除去する工程とを有することを特徴とする選択成長用マスクの形成方法。
IPC (2件)：
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