特許

J-GLOBAL ID：200903001311262043

シリコンウエーハの結晶欠陥検出法および結晶欠陥評価法ならびに酸化膜耐圧特性評価法

発明者： 秋山 昌次 ,  小林 徳弘
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-068885
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269288
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウエーハの酸化膜耐圧や経時絶縁破壊特性に影響を及ぼす結晶欠陥の検出、測定法の簡便化、酸化膜耐圧や経時絶縁破壊特性評価法の信頼性向上と簡便化、測定時間の大幅な短縮並びにコストの削減にある。【解決手段】 シリコンウエーハの表面に熱酸化膜を形成する熱処理を行なった後、水素を含む雰囲気で熱処理することにより、前記シリコンウエーハ中の結晶欠陥を熱酸化膜上にピットとして発生させるウエーハの結晶欠陥検出法、およびこれをパーティクルカウンターで測定し、大きさ0.15μm以上のピットの総数からシリコンウエーハの酸化膜耐圧特性を評価するシリコンウエーハの酸化膜耐圧特性評価法。

請求項（抜粋）：

シリコンウエーハの表面に熱酸化膜を形成する熱処理を行なった後、水素を含む雰囲気で熱処理することにより、前記シリコンウエーハ中の結晶欠陥を熱酸化膜上にピットとして発生させることを特徴とするシリコンウエーハの結晶欠陥検出法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  C30B 29/06 ,  C30B 33/02 ,  C30B 33/12

FI (4件)：

H01L 21/66 N ,  C30B 29/06 B ,  C30B 33/02 ,  C30B 33/12

Fターム (16件)：

4G077AA02 ,  4G077CF10 ,  4G077FE02 ,  4G077FE04 ,  4G077FG11 ,  4G077FJ06 ,  4G077FK08 ,  4G077GA02 ,  4G077GA05 ,  4G077HA12 ,  4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA14 ,  4M106CB19 ,  4M106CB20 ,  4M106DH60