特許

J-GLOBAL ID：200903001321568523

発光素子およびその製造方法

発明者： 末広 好伸
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-168773
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347700
出願日： 2004年06月07日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】 光吸収係数の大なる層に光を留めることなく外部放射を促進させることができる発光素子およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】 LED素子1のGaN系半導体層からサファイア基板をリフトオフし、サファイア基板よりも低屈折率で、かつ凹部11Aを有するガラス部材11をn-GaN層13に接合したので、n-GaN層13内を伝搬する層内閉込光を凹部11Aで効率良く反射させて透明電極17側に導くことができ、その結果、光取り出し性を向上させることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

発光層を含み、凹凸面を有する半導体層と、 前記半導体層の前記凹凸面側に貼り付けられる透過性材料とを有し、 前記透過性材料は、前記半導体層より低い屈折率を有することを特徴とする発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (8件)：

5F041AA03 ,  5F041AA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88

引用特許：

出願人引用 (1件)

• III族窒化物系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-398452   出願人：豊田合成株式会社