フィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物、および該化合物を含有する熱電変換材料

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：友松英爾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-272358
公開番号（公開出願番号）：特開2000-095523
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月04日
要約：

【要約】【課題】熱電材料における従来材料の持つ問題点、すなわち熱伝導率が高く熱電性能が実用的でない点と原料資源の供給上の問題点を解決し、原料資源が豊富な材料を使用して低コストプロセスにより、熱伝導率を低減した優れた熱電性能を示す熱電変換材料、なかでも、熱電性能が優れ、かつ低コストの熱電変換材料であるスクツッテルダイト型結晶構造をもつCoSb3基材料の提供。【解決手段】スクッテルダイト型結晶構造を持つCoSb3基化合物の空格子に元素を充填したフィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物において、前記充填元素が該元素のハロゲン化合物、Co元素、Sb元素、Co元素および/またはSb元素の置換元素の固相反応法によってCoSb3基化合物の空格子に充填されたものであることを特徴とするフィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物。

請求項（抜粋）：

スクッテルダイト型結晶構造を持つCoSb3基化合物の空格子に元素を充填したフィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物において、前記充填元素が該元素のハロゲン化合物、Co元素、Sb元素、Co元素および/またはSb元素の置換元素の固相反応法によってCoSb3基化合物の空格子に充填されたものであることを特徴とするフィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物。

Fターム (7件)：

4G048AA01 , 4G048AA05 , 4G048AB01 , 4G048AC04 , 4G048AD06 , 4G048AE05 , 4G048AE06

引用特許：

審査官引用 (1件)

Co-Sb系熱電材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-318193 出願人：松下電器産業株式会社

前のページに戻る