特許
J-GLOBAL ID：200903001332217960
圧電薄膜共振子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-008646
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209794
出願日： 1997年01月21日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 電気機械結合係数が大きく、共振子、フィルタ等に適用した場合の帯域幅及び発振周波数範囲が広く、かつ、Q値が高い圧電薄膜共振子であって、下部電極を露出させる必要がなく、製造が容易な圧電薄膜共振子を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド薄膜1が形成されたSi基板2上に、下部電極3、PZT薄膜又はPT薄膜4及び2個の上部電極5A,5Bを有する圧電薄膜共振子。上部電極5A,5Bの間隔はPZT薄膜又はPT薄膜4の膜厚よりも大きい。【効果】 圧電体膜がPZT又はPTで形成されているため、広帯域なフィルタや発振周波数範囲の広い共振器を実現できる。上部電極間に電界を印加することにより圧電体膜を厚み方向に分極処理することができる。従って、下部電極を端子電極として露出させる必要がない。
請求項（抜粋）：
単結晶又は多結晶基板と、該基板上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成された圧電体薄膜と、該圧電体薄膜上に形成された2個の上部電極とを備えてなる圧電薄膜共振子であって、該圧電体薄膜がPZT薄膜又はPT薄膜であり、該2個の上部電極同士の間の間隔が、該圧電体薄膜の膜厚よりも大きいことを特徴とする圧電薄膜共振子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03H 9/17 F
, H03H 3/02 B
