特許

J-GLOBAL ID：200903001337835513

フローティングゲート型不揮発性半導体記憶装置

発明者： 野田 昌敬
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-054949
公開番号（公開出願番号）：特開平7-244991
出願日： 1994年03月01日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 製造装置に新たな帯電防止策を講じる必要なく、フローティングゲート型不揮発性半導体記憶装置の可能な書き込み/消去回数の向上を図る。【構成】 フローティングゲート型不揮発性半導体記憶装置の各ワード線の少なくとも一箇所に、直列接続されたMISキャパシターCと接合ダイオードDとから成る保護回路を接続する。

請求項（抜粋）：

直列接続されたMISキャパシターと接合ダイオードとから成る保護回路がワード線に接続されていることを特徴とするフローティングゲート型不揮発性半導体記憶装置。

IPC (9件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

G11C 17/00 309 F ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 102 F ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371