特許
J-GLOBAL ID：200903001342628526
化合物半導体の食刻方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-199236
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064911
出願日： 1994年08月24日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】III-V 族窒化物結晶12,13,14,15のうえに他の種類のIII-V 族結晶をエピタキシャル成長させ、後者を異方性食刻法により結晶面によって規定される側壁を有するメサストライプ18とし、これをマスクとして前者の窒化物結晶をドライエッチングする。【効果】結晶面によって規定される平行度ならびに平滑度の高い光共振器が窒化物結晶中に形成される。
請求項（抜粋）：
III-V 族窒化物半導体結晶の上に窒化物結晶以外のIII-V 族化合物半導体結晶を成長し、フォトリソグラフ技術により後者の結晶をメサ型にウエットエッチングし、残存する結晶のメサをマスクとして窒化物結晶をドライエッチングすることを特徴とする化合物半導体の食刻方法。
IPC (2件)：
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