特許

J-GLOBAL ID：200903001349416460

シリコンエピタキシャル膜の成長方法およびその装置

発明者： 廣井 政幸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-134090
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326037
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 シリコン炭素混晶を広い面積にわたって均一に成長する。さらにシリコン酸化膜やシリコン窒化膜上に多結晶を堆積させずに、同一基板上にあるシリコンなどの半導体表面にのみ選択的にシリコン炭素混晶を成長させる。【構成】 シリコン原子を含むガス状原料および炭素原子を含むガス状原料を同時に半導体表面を有する基板上に照射する。

請求項（抜粋）：

シリコン原子を含むガス状原料および炭素原子を含むガス状原料を半導体表面に照射することによって、シリコン炭素混晶膜を半導体表面にエピタキシャル成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャル膜の成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-001037
  
• 特開昭63-239931
  
• 特開平3-001541