半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-306484
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277711
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】シリンダ型のキャパシタを形成する場合であっても、高い歩留りで製造することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】下地基板10上に形成された第1の絶縁膜60と、第1の絶縁膜上に形成され、第1の絶縁膜とはエッチング特性が異なる第2の絶縁膜61と、第2の絶縁膜上に突出して形成された蓄積電極68を有するキャパシタ79とを有し、蓄積電極は、第2の絶縁膜の側部から下部に延在して形成されている。

請求項（抜粋）：

下地基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第1の絶縁膜とはエッチング特性が異なる第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に突出して形成された蓄積電極を有するキャパシタとを有し、前記蓄積電極は、前記第2の絶縁膜の側部から下部に延在して形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 681 B

Fターム (39件)：

5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083AD62 , 5F083GA03 , 5F083JA04 , 5F083JA06 , 5F083JA32 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA53 , 5F083JA56 , 5F083MA01 , 5F083MA03 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083MA20 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR06 , 5F083PR07 , 5F083PR09 , 5F083PR10 , 5F083PR15 , 5F083PR16 , 5F083PR21 , 5F083PR29 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083ZA06

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-332790 出願人：ソニー株式会社
半導体素子のキャパシタ製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-019369 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
半導体デバイスの接触体とその製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-232191 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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