特許

J-GLOBAL ID：200903001355728325

電界放出型冷陰極、その製造方法及び電解放出型画像表示装置

発明者： 高橋 貞治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-150527
公開番号（公開出願番号）：特開2004-355891
出願日： 2003年05月28日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】▲1▼下部電極とカーボン材料との密着性向上、▲2▼画素内、画素間の輝度バラツキの抑制、▲3▼カーボン材料の耐熱性向上による電界放出性能の低下防止。【解決手段】カーボン材料をシリカゾル溶液中に分散させ、乾燥処理により当該溶液の溶媒を除去することにより、シリカゲルをカーボン材料の表面に析出、定着させる。更に、加熱処理によりシリカゲルのシラノール基(-Si-O-H)の一部を脱水・架橋させた上で(-Si-O-Si-)、当該カーボン材料を極性溶媒中に混合してペースト又はスラリーを調整する。その際、極性基(-Si-O-H)が導入されるので、極性溶媒に対する分散性が向上する。調整後のカーボン材料5のペースト又はスラリーを下部電極2上に塗布して陰極層4を形成する。更に、焼成により、シラノール基の一部を下部電極2の金属原子と化学結合させても良い。シリカゲル6は酸素遮蔽膜として機能する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

(a)カーボン材料をシリカゾル溶液中に分散させ、乾燥処理により前記シリカゾル溶液の溶媒を除去することにより、前記カーボン材料の表面上にシリカゲルを析出、定着させる工程と、 (b)前記シリカゲルを前記表面に定着させた後のカーボン材料を極性溶媒中に分散させ、ペースト若しくは懸濁液を調整する工程と、 (c)基板上に下部電極を形成する工程と、 (d)前記下部電極上に、前記ペースト若しくは懸濁液を塗布して陰極層を形成する工程とを備えることを特徴とする、 電界放出型冷陰極の製造方法。

IPC (4件)：

H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

FI (4件)：

H01J9/02 B ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 C ,  H01J1/30 F

Fターム (28件)：

5C031DD17 ,  5C031DD19 ,  5C036EG12 ,  5C127AA01 ,  5C127BA06 ,  5C127BA09 ,  5C127BA13 ,  5C127BA15 ,  5C127BB05 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127DD13 ,  5C127DD39 ,  5C127EE03 ,  5C127EE04 ,  5C127EE07 ,  5C127EE20 ,  5C135AA06 ,  5C135AA09 ,  5C135AA13 ,  5C135AA15 ,  5C135AB05 ,  5C135AB07 ,  5C135GG16 ,  5C135HH02 ,  5C135HH03 ,  5C135HH04 ,  5C135HH07