特許

J-GLOBAL ID：200903001355888500

絶縁型半導体装置

発明者： 栗原 保敏 ,  守田 俊章 ,  児玉 弘則 ,  飯塚 守 ,  小山 賢治 ,  大島 昌彦 ,  福井 聡 ,  濱吉 繁幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立金属株式会社
代理人 (1件)： 高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-219099
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031732
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、製造時あるいは運転時に生ずる熱応力ないし熱歪を軽減し、各部材の変形、変性、破壊の恐れが少なく、信頼性が高い絶縁型半導体装置とその部材を提供することにある。【解決手段】本発明は、半導体基体がセラミックス板の一方の主面に設けられた配線金属層上に固着され、該セラミックス板の他方の主面が接合金属層を介して支持部材に固着され、該支持部材がAl合金からなるマトリックス金属中にセラミックス粉末粒子を分散させた複合金属板で構成され、配線金属層と接合金属層がAl合金で構成された絶縁型半導体装置、又その特定の構造を有する絶縁型半導体装置にある。

請求項（抜粋）：

半導体基体がセラミックス板の一方の面に設けられた配線金属層上に固着され、前記セラミックス板の他方の面が接合金属層を介して支持部材に固着され、該支持部材がAl合金からなるマトリックス金属中にセラミックス粉末粒子を分散させた複合金属板で構成され、前記配線金属層と接合金属層がAl合金で構成されたことを特徴とする絶縁型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/13 ,  H01L 23/373

FI (2件)：

H01L 23/12 C ,  H01L 23/36 M

Fターム (4件)：

5F036BA04 ,  5F036BA23 ,  5F036BD03 ,  5F036BD13