半導体装置用基板

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山田稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-006103
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195450
出願日： 1995年01月19日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】材料費の安価なアルミナを主材とし、機械的強度、特に破壊靱性(撓み性)を高め、これにより基板自身の薄形化による放熱性の改善が図れるようにしたセラミックス基板の半導体装置用基板を提供する。【構成】セラミックス基板は、アルミナを主成分としてこれにジルコニアを添加し、更に、セラミックス焼結助剤として、イットリア、カルシア、マグネシア、セリアのいずれかをそれぞれ0.1〜2wt%,0.02〜0.5wt%,0.02〜0.4wt%,0.02〜0.5wt%添加した高温焼成体である。アルミナ単体のセラミックス基板と比べて特に曲げ強度が大幅に高まる。また熱伝導率が一層向上する。これにより、基板自身を薄型化することで半導体装置の基板として放熱性に優れたCBC基板が得られる。

請求項（抜粋）：

アルミナを主成分としてジルコニアを添加し、これにイットリア,カルシア,マグネシア,セリアからなる群より選択された1種以上の添加剤を添加して作製したセラミックス焼成体よりなることを特徴とする半導体装置用基板。

IPC (2件)：

H01L 23/13 , H01L 23/15

FI (2件)：

H01L 23/12 C , H01L 23/14 C

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-021564
特開平4-021564
特開平1-061349

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