特許
J-GLOBAL ID：200903001365143660
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-063376
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273010
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言えば、微細化が進んだレジストパターンの形成方法の改善に関する。【構成】基体10上にポリシリコン層11,タングステンシリサイド層12を順次形成したのちに、屈折率の高い干渉緩和膜13を形成し、酸化膜14を形成する工程と、前記酸化膜14上にレジスト膜15を形成したのちに露光、現像してパターニングし、レジストパターン15Aを形成する工程とを有すること。
請求項（抜粋）：
基体(10)上にポリシリコン層(11),タングステンシリサイド層(12)を順次形成したのちに、屈折率の大きい干渉緩和膜(13)を形成し、酸化膜(14)を形成する工程と、前記酸化膜(14)上にレジスト膜(15)を形成したのちに露光・現像してパターニングし、レジストパターン(15A)を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 503
