特許
J-GLOBAL ID：200903001366864000
半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-344481
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175440
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 深いウェルを形成する拡散工程を溶存酸素の外方拡散工程と兼用できる半導体素子の製造方法を提供する。【構成】 ウェル拡散に先立って、溶存酸素の外方拡散温度より高温の1250°Cで1時間だけ初期アニールを実施して、1150°Cで溶解可能な析出核より大きな析出核までを予め溶解しておく。その後に、1150°Cで14時間アニールを実施して、ウェル拡散と溶存酸素の外方拡散とを同時に実施する。こうして、1150°Cで成長可能な大きさの析出核を予め溶解しておくことによって、1150°Cで14時間の長時間に亘ってウェル拡散と溶存酸素の外方拡散とを同時に実施しても基板表面に酸素の析出に起因する欠陥は生ずることがなく、深いウェルを形成する拡散工程を溶存酸素の外方拡散工程と兼用することができる。
請求項（抜粋）：
深いウェルをウェル拡散によって形成する半導体素子の製造方法において、上記ウェル拡散の実施に先立って、上記ウェル拡散と溶存酸素の外方拡散とを同時に実施可能な第1の温度よりも更に高い第2の温度で、この第2の温度で溶解可能な大きさの析出核が溶解するのに要する時間だけ初期アニールを実施し、次に、上記ウェル拡散と溶存酸素の外方拡散とを同時に実施可能な上記第1の温度で、上記深いウェルが形成され且つ上記溶存酸素の外方拡散が十分実施される時間だけアニールを実施することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/092
, H01L 21/322
, H01L 21/324
