特許
J-GLOBAL ID：200903001369575831
エレクトロルミネッセンス材料、その製造方法及び発光素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-109207
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306485
出願日： 1995年05月08日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 p型半導体とn型半導体の積層構造を形成する必要がなく、工程が簡単で、しかも低い、10V以下の低電圧で発光させることができるエレクトロルミネッセンス材料、その製造方法及び発光素子を提供する。【構成】 透明導電体21のマトリックス中に粒径が0.1μm以下の半導体微粒子22が分散した構造を有するエレクトロルミネッセンス材料と、このエレクトロルミネッセンス材料の両側に設けられる+電極23と、-電極24と、これらの電極に10V以下の電圧が印加される直流電源とを具備する。
請求項（抜粋）：
透明導電体のマトリックス中に粒径が0.1μm以下の半導体微粒子が分散した構造を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス材料。
IPC (3件)：
H05B 33/00
, C09K 11/00
, F21K 2/08
H05B 33/00
, C09K 11/00 F
, F21K 2/08
