特許
J-GLOBAL ID：200903001372336872
半導体導波路型光検出器およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-178066
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021505
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体光導波路内にpn接合を設けて形成した半導体導波路型光検出器の光入射部に設けられた無反射膜に起因する暗電流を低減する。【構成】 下部クラッド層にコア層及び上部クラッド層を順次積層してなり、pn接合界面18を有する半導体導波路型光検出器において、該導波路型光検出器上の上部クラッド層13の一部分に無反射膜21を積層し、当該無反射膜21の縁から鉛直方向下方に向かって角度が略45度であると共に下部クラッド層14を臨むようにエッチングされた、逆メサ状側面22を有する光入力端部を形成してなり、上記無反射膜21を介して導波路型光検出器の上面から入射された信号光11を、上記逆メサ状側面22によって当該導波路型光検出器のコア12内の導波方向に反射する。
請求項（抜粋）：
下部クラッド層にコア層及び上部クラッド層を順次積層してなり、pn接合を有する半導体導波路型光検出器において、少くとも上部クラッド層及びコア層の導波方向の一端面が鉛直方向から内側へ略45度傾斜した逆メサ状側面の光入力端となっており、この上方の上部クラッド層上に無反射膜を形成し、逆メサ状側面を有する上記無反射膜を介して導波路型光検出器の上面から入射された信号光を、上記逆メサ状の側面によって当該導波路型光検出器の導波方向に反射することを特徴とする半導体導波路型光検出器。
IPC (2件)：
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