特許
J-GLOBAL ID：200903001386381269

半導体装置及びその製造方法

発明者：
山口 正臣

山口 正臣 について

, 
杉山 芳弘

杉山 芳弘 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-095777
公開番号（公開出願番号）：特開2004-303979
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：
【課題】微細化に伴うリーク電流の増加を抑制することができると共に、良好なチャネル移動度を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に、Hf、Al、O及びNを含有するゲート絶縁膜を形成する。ゲート絶縁膜は、例えばHfO2膜及びAl2O3膜の混合膜であり、例えばMOCVD法等により、以下のようにして形成する。成膜開始直後には、Al2O3膜の原料を多めに供給すると共に、HfO2膜の原料を少なめに供給することにより、Al2O3膜、HfO2膜の形成速度の比を3:7程度にする。その後、時間の経過に伴って、Al2O3膜の原料の供給量を減少させると共に、HfO2膜の原料の供給量を増加させる。そして、成膜終了直前には、Al2O3膜の原料の供給を停め、HfO2膜の原料のみを供給する。この結果、最表面から半導体基板との界面にむかってAl含有量が増加する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 を有し、 前記ゲート電極の誘電率は、前記半導体基板に接する部分から前記ゲート電極に接する部分にかけて単調に増加していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L29/78 ,  H01L21/316
FI (2件)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/316 X
Fターム (30件)：
5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF06 ,  5F058BF36 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA05 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD01 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG34 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK34 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08 ,  5F140CF04
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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