特許
J-GLOBAL ID：200903001387267559
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-117779
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315357
出願日： 1992年05月11日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【構成】 多結晶シリコン膜3を塩化水素等のハロゲン元素の水素化合物と酸素ガス等の酸化性気体との混合気体雰囲気中で熱処理する。【効果】 チャンネル領域を構成する多結晶シリコン膜3の欠陥をアニーリング効果によって回復させるだけでなく、この欠陥のうちの主としてダングリングボンドに塩素等のハロゲン元素を結合させることにより不活性化させることができるので、結晶性に優れた多結晶シリコン膜3をチャンネル領域とした応答速度が速くリーク電流の少ない薄膜トランジスタを得ることができるようになる。
請求項（抜粋）：
チャンネル領域に多結晶シリコン膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法であって、非単結晶シリコン膜をハロゲン元素の水素化合物と酸化性気体との混合気体雰囲気中で熱処理をすることにより、該多結晶シリコン膜を形成する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/324
