特許
J-GLOBAL ID：200903001389572251
半導体装置の評価方法,半導体装置の製造工程の管理方法及び記録媒体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-145290
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097500
出願日： 1998年05月27日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の製造工程中で短時間に全数検査が可能な半導体装置の評価方法を提供する。【解決手段】 酸化膜に時間の経過とともにランプ波形状に変化する電界を印加し、各測定時点において酸化膜に印加される電流密度を測定する。酸化膜の破壊が生じる時点までの電流密度を時間について積分し、破壊までの総電荷量Qbdを求める。総電荷量Qbdを各測定時点における電流密度で除し、各測定時点における電流密度が一定のままで酸化膜に印加されたと仮定したときの酸化膜の寿命の推定値を算出する。共通の測定時点に対応する電界強度と寿命の推定値とから、酸化膜の寿命の推定値を電界強度の関数とする回帰直線を決定する。この回帰直線に基づいて、電界加速係数を決定し、任意の電界強度における酸化膜寿命を推定する。
請求項１：
半導体装置内に設けられた絶縁膜に、強度が時間の経過とともに変化する電界を印加する第1のステップと、上記電界が印加されている間の複数の時点において上記絶縁膜に印加される電流密度を測定する第2のステップと、上記絶縁膜の破壊が生じる時点までの上記電流密度を時間について積分して破壊までの電荷量を算出する第3のステップと、上記第3のステップで算出された上記絶縁膜の破壊までの電荷量を上記第2のステップで測定された各時点の電流密度で除し、各時点ごとにそのときの電流密度が一定で印加されたと仮定したときの絶縁膜の寿命の推定値を求める第4のステップと、上記絶縁膜の寿命の推定値を電界強度の関数として近似する第5のステップと、上記関数に基づき、電界加速係数の抽出と任意の電界強度における絶縁膜寿命の推定とのうち少なくともいずれか一方を行う第6のステップとを備えていることを特徴とする半導体装置の評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
H01L 21/66 Q
, H01L 21/66 V
, H01L 21/66 Y
, H01L 27/08 102 A
