特許

J-GLOBAL ID：200903001392959159

半導体装置の製造方法

発明者： 村木 太郎
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-196532
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021984
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 層間絶縁膜に断面形状がテーパー形状に制御された微細で深いコンタクト孔を形成することで上層配線のステップカバレッジを向上させる。【解決手段】 層間絶縁膜2にコンタクト孔8を開孔するのためのエッチング時にキャリアガスとしてフルオロカーボン及びフルオロカーボンの水素置換体のうち1種類以上のガスとアルゴンガスに加えて窒素ガスを一定量添加することで、エッチング時のフッ素ラジカルの生成速度を低下させ、下地膜であるタングステン配線1とフッ素との反応を促進し、コンタクト孔8側壁部にフッ素化合物からなる側壁保護膜4を形成し、順テーパー形状のコンタクト孔8を開孔することができる。従って、引き続き形成する上層配線であるアルミニウム配線5のステップカバレッジが向上し、配線の信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上方の一主面に第1の導電膜を形成する工程と、前記第1の導電膜の表面に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の所定位置に、フルオロカーボン及びフルオロカーボンの水素置換体のうち1種類以上とアルゴンと窒素を混合したガスを用いて異方性エッチングを施してコンタクト孔を開孔する工程と、前記層間絶縁膜表面及び前記コンタクト孔内部に第2の導電膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 M

Fターム (28件)：

5F004AA12 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB03 ,  5F004EA13 ,  5F004EB03 ,  5F004FA08 ,  5F033AA02 ,  5F033AA04 ,  5F033AA12 ,  5F033AA13 ,  5F033AA14 ,  5F033AA17 ,  5F033AA29 ,  5F033AA52 ,  5F033AA54 ,  5F033BA12 ,  5F033BA15 ,  5F033BA41 ,  5F033DA06 ,  5F033DA35 ,  5F033EA02 ,  5F033EA25