特許
J-GLOBAL ID：200903001394277390
紫外線硬化型接着剤の薄膜形成方法並びにそれを用いた三次元LSIの常温積層方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-050486
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268154
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 紫外線硬化型接着剤の薄膜形成方法並びにそれを用いた三次元LSIの常温積層方法を提供する。【構成】 下地シリコンウェーハに接着剤膜を形成するに際し、下地シリコンウェーハ11上に紫外線硬化型接着剤19をスピンコートにより薄膜を形成すると共に紫外線を照射し硬化させて下地接着層23を形成し、次いでこの下地接着層23の上に新たに接着剤19をスピンコートにより上部接着層(液状)24aを形成し、その後、紫外線透過部を有する合わせ用シリコンウェーハを重ね合わせ、次いで位置決め及び圧着した後に、該合わせ用シリコンウェーハに設けた紫外線透過部を介して紫外線を照射し、上部接着層(液状)24aを硬化してなる上部接着層(固体)24bを介して三次元LSIを常温で積層させる。
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハの接着に用いる紫外線硬化型接着剤膜を常温で下地シリコンウェーハに形成する方法において、上記接着剤膜を下地接着層と上部接着層との二層に分けて形成し、且つ当該下地接着層は紫外線硬化型接着剤の塗布中に紫外線を照射し硬化させて接着剤の均一塗布膜層を形成すると共に、上部接着層は当該下地接着剤層の上に所定の膜厚に未硬化の紫外線硬化型接着剤層を形成することを特徴とする紫外線硬化型接着剤の薄膜形成方法。
IPC (2件)：
H01L 27/00 301
, H01L 21/02
